• 77K、自己磁場における500A（10mm幅）以上の高い臨界電流を実現

※全長通電測定は四端子法により、77K（液體窒素中）、自己磁場中、1μV/cm基準で測定を行っています。
※上記の測定データは一例であり、全ての線材性能を保証するものではありません。

• 4.2K、17Tにおいて500A（10mm幅）以上の高い磁場中臨界電流を実現

※測定データの一部（3T～）には東北大學 金屬材料研究所 強磁場超伝導材料研究センターで測定されたデータが含まれます。

• 500A超の高い臨界電流を500m超の長尺線材においても実現

• 長尺線材において臨界電流均一性に優れる安定した性能を実現

※全長磁化測定はTapestar^TMにより行っており、Tapestar^TMはTHEVA社の商標です。
※磁化測定（磁化法による臨界電流測定）では微弱な磁場の応答を測定プログラムが臨界電流に換算しており、実際の臨界電流を保証するものではありません。
※上記の測定データは一例であり、全ての線材性能を保証するものではありません。
※磁化測定は測定分解能が高いため、線材長に応じて測定プログラムが計算する所定區間の最大値を赤線、最小値を青線のグラフで表示しています。

IBAD法（Ion Beam Assisted Deposition）

• 中間層の製造技術
• フジクラ獨自技術（1991年開発）
• 超電導特性を向上させるためには結晶方位を揃えることが重要になり、中間層の結晶方位を整列させる技術を確立することで、超電導層の結晶方位も揃えることを実現

PLD法（Pulsed Laser Deposition）

• 超電導層の製造方法
• ホットウォール型PLD法はフジクラ獨自開発
• ホットウォールと呼ばれる高溫の壁で成膜エリアを囲う方式を採用することで、溫度の安定化に成功し、高品質な超電導層の形成が可能

お問い合わせ先

お問い合わせは下記メールアドレスまで宜しくお願い致します。

E-mail : ask-sc@jp.fujikura.com